嗯，用户问的是关于内建自举电路的芯片中自举电容的容量。首先，我得理解什么是自举电容。自举电路通常用于高压应用，比如在MOSFET驱动中，用来提升栅极电压。自举电容的作用就是存储电荷，在开关过程中释放电荷来提高电压。

用户希望列举一些芯片中的自举电容容量，并且多给几个例子。那我得先找些常见的内建自举电路的芯片。比如DRV8305， DRV8662这些驱动IC。然后查它们的数据手册，看看里面有没有提到自举电容的推荐值。

DRV8305的数据手册里提到4.7nF到10nF，所以列举了几个范围内的例子。 DRV8662也是类似的，建议的是4.7nF。然后像IRS2110这些高压驱动器，通常会用更大的容量，比如0.1μF到1μF。

接下来，可能用户需要更多例子，所以我得再找些其他的芯片，比如IR2101、IR2103之类的，它们的自举电容范围在47nF到100nF之间。还要注意不同工作条件下的推荐值，比如更高的开关频率可能需要更大的容量。

最后，提醒用户参考数据手册的具体建议，因为实际应用中还有很多因素会影响选择，比如系统电压、开关速度等。这样用户可以根据自己的需求来调整电容大小。

在内建自举电路的芯片设计中，自举电容的容量选择是一个关键参数，需要根据具体的应用场景和芯片的工作条件来确定。以下是一些常见的例子：

1. **DRV8305**：这是一款用于低侧驱动的MOSFET驱动器，其内部集成了自举电路。通常情况下， DRV8305 的自举电容容量建议在 4.7nF 到 10nF 之间。

2. **DRV8662**：这是一款双H桥电机驱动器，内部也集成了自举电路。根据数据手册的建议， DRV8662 的自举电容容量通常为 4.7nF。

3. **IRS2110**：这是一款高压MOSFET驱动器，用于汽车和工业应用。 IRS2110 内部集成了自举电路，其推荐的自举电容容量一般在 0.1μF 到 1μF 之间。

4. **IR2101**：这是一款半桥MOSFET驱动器，内部集成自举电路。根据具体应用的不同， IR2101 的自举电容容量通常建议为 47nF 到 100nF。

5. **IR2103**：这是一款增强型的高压MOSFET驱动器，内部集成了自举电路。通常情况下， IR2103 的自举电容容量建议在 47nF 到 100nF 之间。

6. **STL16N6WF**：这是一款智能功率模块，内建自举电路。根据数据手册的推荐， STL16N6WF 的自举电容容量通常为 4.7nF 到 10nF。

这些数值仅供参考，实际应用中需要根据具体的芯片参数和系统要求进行调整。建议查阅相关芯片的数据手册以获取更准确的信息。